RAM-Vergleich Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Gesamtnote

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

73 77

Rund um 5% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

3 13.1

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

5.5 1,423.3

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 5300

Rund um 3.62 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit

5-5-5-15 / 667 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

476 1440

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns