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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
43
Rund um -30% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
12.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1706
2941
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
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