RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
34
Rund um 26% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.9
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
16.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
3465
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB RAM-Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link