RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
34
Около 26% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.2
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.9
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
18.2
Скорость записи, Гб/сек
10.1
16.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3465
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link