Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB против Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Средняя оценка

Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB

Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Сообщить об ошибке

Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB

Причины выбрать
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

33 42

Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения

19.7 10.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.8 7.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

42 33
Скорость чтения, Гб/сек

10.6 19.7
Скорость записи, Гб/сек

7.8 14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2150 3671

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB

Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965589-043.E00G 16GB

Kingston 9965589-043.E00G 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB

Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Kingston 9905702-136.A00G 8GB

Kingston 9905702-136.A00G 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB

Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB

Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB

модули RAM

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB

G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB

Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Kingston 9905713-030.A00G 8GB

Kingston 9905713-030.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB

Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Kingston 9965669-032.A00G 16GB

Kingston 9965669-032.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB

Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB

SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB

SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB

Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB

модули RAM

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB

Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB

модули RAM