RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB против Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Средняя оценка
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
40
Около -14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.1
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
35
Скорость чтения, Гб/сек
13.6
14.1
Скорость записи, Гб/сек
8.3
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2035
2583
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link