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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
総合得点
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
総合得点
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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考慮すべき理由
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
35
40
周辺 -14% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
14.1
13.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.0
8.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
10600
周辺 2.42 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
40
35
読み出し速度、GB/s
13.6
14.1
書き込み速度、GB/秒
8.3
9.0
メモリ帯域幅、mbps
10600
25600
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2035
2583
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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