RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Сравнить
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB против Kingston 9905665-014.A00G 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Средняя оценка
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,072.7
10.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
75
Около -168% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
75
28
Скорость чтения, Гб/сек
2,730.3
15.8
Скорость записи, Гб/сек
2,072.7
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
2469
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Сравнения RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GS6DFR8A-PB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link