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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Confronto
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,072.7
10.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
75
Intorno -168% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
75
28
Velocità di lettura, GB/s
2,730.3
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,072.7
10.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
858
2469
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
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INTENSO M418039 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
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