RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB против Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Средняя оценка
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
57
Около 26% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.1
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
7.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
57
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
19.1
Скорость записи, Гб/сек
7.8
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2181
2377
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link