RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 31
    Около 23% меньшая задержка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    21.4 left arrow 16
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    16.2 left arrow 12.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 19200
    Около 1.11 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 31
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 21.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 16.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 3809

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
модули RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
модули RAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
модули RAM
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
модули RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
модули RAM
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
модули RAM
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
модули RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
модули RAM
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
модули RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
модули RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
модули RAM