Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB

-->

Средняя оценка

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Средняя оценка

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

21300 19200

Около 1.11% выше полоса пропускания

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB

Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

35 38

Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения

14.8 14.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.2 10.3

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

38 35
Скорость чтения, Гб/сек

14.2 14.8
Скорость записи, Гб/сек

10.3 11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

21300 19200

Other

Описание

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2148 2336

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB

модули RAM

Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N

модули RAM

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Kingston KM0VW4-MID 8GB

Kingston KM0VW4-MID 8GB

модули RAM

Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB

Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB

Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB

Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB

Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB

Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB

Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston KHX2133C14/8G 8GB

Kingston KHX2133C14/8G 8GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB

Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB

модули RAM