RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
35
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2336
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link