RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
44
Около 5% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.7
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
44
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
14.7
Скорость записи, Гб/сек
9.4
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
2170
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link