RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Porównaj
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
38
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
10.3
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
35
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2148
2336
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Kingston 9905471-084.A00LF 8GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link