RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Porównaj
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
38
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
10.3
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
35
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2148
2336
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link