RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Porównaj
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
38
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
10.3
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
35
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2148
2336
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link