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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
総合得点
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
総合得点
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
19200
周辺 1.11% 高帯域
考慮すべき理由
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
35
38
周辺 -9% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
14.8
14.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.2
10.3
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
38
35
読み出し速度、GB/s
14.2
14.8
書き込み速度、GB/秒
10.3
11.2
メモリ帯域幅、mbps
21300
19200
Other
商品説明
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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