RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
49
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3933
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link