RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
30
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.6
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3432
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link