RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
42
Wokół strony -133% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.7
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
18
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
20.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
3722
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT25664BF160BJ.M4F 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Smart Modular SH564128FH8N0QHSCG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link