RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
42
Около -133% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.7
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.4
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
18
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
20.7
Скорость записи, Гб/сек
9.4
16.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
3722
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Corsair CM2X1024-6400 1GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Kingston 99U5584-009.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link