RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB против G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
40
Около -122% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.6
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.6
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
18
Скорость чтения, Гб/сек
13.6
20.6
Скорость записи, Гб/сек
8.3
18.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2035
3607
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
INTENSO 5641152 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link