RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
40
Wokół strony -122% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.6
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.6
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
18
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
18.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2035
3607
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link