RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
40
Rund um -122% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.6
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
18.6
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
18
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.6
20.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
18.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2035
3607
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link