RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
30
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.6
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
19.6
Скорость записи, Гб/сек
9.5
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
3432
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
INTENSO 5641152 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link