RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
57
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
7.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
57
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2181
2377
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
AMD R534G1601U1S 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link