RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
58
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
41
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
2686
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link