RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Comparez
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Note globale
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
58
Autour de -41% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
1,950.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
58
41
Vitesse de lecture, GB/s
4,241.0
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,950.7
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
651
2686
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link