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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
34
左右 26% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.2
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.9
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
34
读取速度,GB/s
16.1
18.2
写入速度,GB/s
10.1
16.9
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3465
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-105.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
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