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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
39
左右 31% 更低的延时
需要考虑的原因
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.1
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
39
读取速度,GB/s
11.8
15.1
写入速度,GB/s
7.3
12.6
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
3000
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
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