RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

総合得点
star star star star star
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 39
    周辺 31% 低遅延
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB 考慮すべき理由
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.1 left arrow 11.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.6 left arrow 7.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 12800
    周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 39
  • 読み出し速度、GB/s
    11.8 left arrow 15.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.3 left arrow 12.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2057 left arrow 3000

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAMの比較

Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
メモリRAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
メモリRAM