RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
43
Rund um -79% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
11.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1706
2534
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB RAM-Vergleiche
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link