RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
43
Wokół strony -79% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
2534
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link