RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
11.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
24
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2534
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link