RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
48
Wokół strony -60% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.6
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
30
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
3432
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBSR 4GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link