RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
43
Rund um -79% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.8
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.6
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
18.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
14.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1706
3690
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB RAM-Vergleiche
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link