SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Gesamtnote
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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

Gesamtnote
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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Unterschiede

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    36 left arrow 37
    Rund um -3% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15.8 left arrow 9.8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    11.8 left arrow 7.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 14900
    Rund um 1.43 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    37 left arrow 36
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    9.8 left arrow 15.8
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.2 left arrow 11.8
  • Speicherbandbreite, mbps
    14900 left arrow 21300
Other
  • Beschreibung
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2065 left arrow 2497
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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