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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
比较
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
总分
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
总分
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
37
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
14900
左右 1.43 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
36
读取速度,GB/s
9.8
15.8
写入速度,GB/s
7.2
11.8
内存带宽,mbps
14900
21300
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2065
2497
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB RAM的比较
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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB RAM的比较
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
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