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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
比较
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
总分
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
总分
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
6
15.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,935.8
11.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
45
左右 -29% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
35
读取速度,GB/s
6,336.8
15.1
写入速度,GB/s
2,935.8
11.3
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1144
2631
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB RAM的比较
OCZ OCZ2T8001G 1GB
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Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
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Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
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