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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
56
Rund um 34% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.1
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.5
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
14900
Rund um 1.29 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
56
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
20.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
10.5
Speicherbandbreite, mbps
14900
19200
Other
Beschreibung
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2065
2455
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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