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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
56
Por volta de 34% menor latência
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.1
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.5
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
14900
Por volta de 1.29 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
56
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
20.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
10.5
Largura de banda de memória, mbps
14900
19200
Other
Descrição
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2065
2455
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Comparações de RAM
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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