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SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.2
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
41
49
Rund um -20% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.1
5.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
41
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.2
7.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.2
6.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1223
1512
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
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Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
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