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SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.2
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.2
4.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
49
Rund um -75% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
49
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.2
7.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.2
4.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
10600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1223
1175
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB RAM-Vergleiche
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
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