Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB

Unterschiede

  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    4.5 left arrow 4.4
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    28 left arrow 46
    Rund um -64% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    7.7 left arrow 4.8
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    46 left arrow 28
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4.8 left arrow 7.7
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    4.5 left arrow 4.4
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 left arrow PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1046 left arrow 1175
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RAM 2

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