RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
4.5
4.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
46
Rund um -64% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.7
4.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
46
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4.8
7.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
4.5
4.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
10600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1046
1175
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB RAM-Vergleiche
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB RAM-Vergleiche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link