RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
4.5
4.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
46
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
7.7
4.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
46
28
Prędkość odczytu, GB/s
4.8
7.7
Prędkość zapisu, GB/s
4.5
4.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
10600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1046
1175
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Corsair CMSA4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link