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SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
47
Rund um -81% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
12800
10600
Rund um 1.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
47
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.7
13.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
8.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
12800
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1549
1836
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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