RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
46
Rund um -35% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
12.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1854
2902
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link