RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
49
Rund um 6% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
10.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
49
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
10.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
8.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1854
2504
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link