RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB vs SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
43
44
Rund um 2% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.5
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.8
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
43
44
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.5
12.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.8
7.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
12800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1993
2022
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
AMD R748G2400U2S 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Kingston ASU16D3LS1KFG/4G 4GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link