RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
42
Rund um -40% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
13.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2152
3447
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link