RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Vergleichen Sie
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Gesamtnote
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
49
66
Rund um 26% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
66
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,577.1
13.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
13.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
737
2429
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
‹
›
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link